进步相当可观！ASML就华为芯片发声了

华为芯片进步相当可观，ASML终于就华为芯片发声了。

华为Mate70系列上市后，华为正式承认了麒麟芯片，全部具备国产的能力，并且全部采用100%国产芯片。

尤其是麒麟9020芯片，跑分超过120万，媲美4nm工艺的高通骁龙8+芯片，这是相当大的突破。

但对于麒麟9020芯片，高通台积电等巨头都没有表态，给予承认。

结果ASML就华为芯片发声了，称华为在芯片领域取得进步相当可观，这等于是承认了，麒麟9020芯片是相当厉害的。

实际上，麒麟9020芯片确实很厉害，除了跑分，在游戏领域,特效全开，华为Mate70Pro依旧不掉帧。

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在麒麟9020芯片的加持下，华为Mate70系列的整机性能，提升40%，这在智能手机领域，也是史无前例的。

关键是，尤其华为Mate70系列的出色表现，上市后，苹果iPhone 16系列就展开促销，目前最高降价超1100元，这都是华为Mate70系列，给苹果带来巨大的压力。

要知道，苹果iPhone 16系列可是采用台积电3nm工艺，但华为Mate70系列在流畅度、游戏等方面，却丝毫不怯场，足以见麒麟9020芯片确实很强大。

不过，ASML还说了，虽然华为芯片进步相当于，但与台积电三星等相比，还有差距，这样的差距主要是因为EUV光刻机。

即便是采用一流的DUV光刻机，也只能将芯片制程缩小至5nm,成本高，良品率低。

但EUV光刻机可以将芯片制程缩小至2nm，还有更先进的NAEUV光刻机，但这些先进设备都无法向国内出货。

ASML表态有点夸张了，因为台积电张忠谋说过，国内芯片制造技术，与台积电相比，大大约有5年左右的差距。

另外，EUV光刻机固然重要，但是制造性能强大的芯片，不一定非要靠先进的光刻机。

中芯国际自研了N+1、N+2等工艺，类似7nm工艺；佳能自研了NIL工艺，可将芯片制程缩小至5nm，这些技术都不需要EUV光刻机。

也就是说，即便是没有EUV光刻机，通过其他技术，依旧可以缩小芯片制程，未来必然会有其他技术，不用EUV光刻机，制造出来3nm/2nm等芯片。

提升芯片性能，还在于芯片设计、核心数量、封装技术以及优化能力等。

例如，麒麟9010芯片、麒麟9020芯片都是八核心设计，通过超线程技术，发挥出来12核的能力。

虽然制程上可能是仍是7nm,但设计能力优秀，封装技术优秀，就做到等效4nm芯片。

这已经说明了芯片性能，取决于多个因素，不止是芯片制程。

尤其是先进封装技术，同样都是7nm芯片，普通封装工艺和3D封装工艺，性能相差30%。国内已经掌握了4nm小芯片封装技术，自然能大幅度提升芯片性能。

还有一点就是，芯片制程进入14nm工艺，物理面积基本也就不再缩小，都是在相同的面积上，采用更精准的光刻技术，内置更多晶体管。

简单说就是，只能要一定面积内，内置更多晶体管，性能芯片就会提升很多。

虽然华为ASML都公布更多细节消息，但是国内四大行业协会已经发出呼吁，称美芯不再安全，不再可靠，谨慎采购美芯产品。

实际上就呼吁国内厂商，更多采用国产芯片。

这都说明，华为等国产芯片技术取得突破了，这个突破还是很大的。懂了吧。