哈工大的一则消息，ASML台积电都沉默了，就等国产EUV了

哈工大官宣了一则新消息，突破了13.5nm极紫外光源，这项技术是EUV光刻机的核心技术，目前只有美企掌握了，这也是ASML听美的主要原因。

哈工大公布这一消息后，台积电ASML都沉默了。

因为ASML多次公开称，EUV光刻机不是一个国家就能完成的，ASML集合了40多个国家，上百家供应商才实现了。

台积电称，中芯国际在芯片制造技术上，差距很大，至少在10年以上。

但如今，一切都变了，哈工大的技术突破，让国产EUV光刻机看到了希望，迎来了曙光 。

新加坡毕盛资产管理创始人王国辉公开表态，看好中芯国际，因为其可以利用本土优势与台积电在全球竞争，并有希望赶超台积电。

两者的差距，目前主要集中在EUV光刻机等少数设备上，这是不能出货导致的，一旦国内EUV光刻机实现突破，赶超台积电是有希望的。

哈工大宣布突破13.5nm极紫外光源技术，这意味着国内突破了EUV光刻机最核心的技术，让国产EUV光刻机看到了曙光。

据了解，哈工大突破的13.5nm光源技术，采用的是DPP技术，与美国企业不同，后者采用的传统LPP技术。

简单说就是，哈工大是通过粒子加速获得紫光，而ASML采用美国光源技术，还需要德国徕卡的透镜技术。

虽然都是获得了相同的紫光，但哈工大供应链更短，一种技术就能实现，ASML则需要两家供应商的技术才能实现。

哈工大的技术，明显就是一种技术创新突破。

当然，想要生产制造EUV光刻机，不仅需要先进的极紫外光源技术，还需要物镜系统、双晶工作台、控制系统。

这四大技术组成了高端EUV光刻机的护城河，是非常难超越和颠覆的。

因为体系小，并且需要功率高且稳定的极紫外线光源，之前只有美国的Cymer公司掌握了成熟的技术。

但哈工大公布了“放电等离子体极紫外光刻光源”技术，解决了13.5nm波长极外光的生成问题，还具备能量转换效率高、成本低、体积小等优势。

关键是，这一技术具备很高的商用价值，可以满足国内生产制造EUV光刻机的需求，解决了一个卡脖子的问题。

中芯国际等国内厂商面临的瓶颈，就是一个紫外光光刻机，也就是EUV光刻机。

要知道，华为等国内厂商，已经实现了7nm芯片，并在7nm的基础上，极度开发性能，将7nm芯片实现了类似5nm/4nm芯片的性能。

但这已经是极限了，想要突破3nm等更先进芯片，必须要EUV光刻机，而哈工大的技术突破，给国产EUV光刻机带来了希望，加速了进度。

王国辉也表态，称中芯国际和华为等国内厂商，都在等一台国产EUV光刻机，一旦做出来国产EUV光刻机，就意味着绕过了美限制，绕过了ASML的光刻机。

中芯国际的芯片制造技术和产能，必然会实现跨越式增长。

再加上，本身产业链优势和成本优势，赶超台积电是有希望的。

至于台积电和ASML的沉默，一半是焦虑，一半是不相信。

所以台积电多次表示，中芯国际赶超还需要很多年，EUV光刻机是无法跨越的鸿沟。

ASML也表达了类似的观点，称国内厂商没有EUV光刻机，与世界先进芯片水准，相差10到15年。

但ASML又很焦虑无奈，担忧国内真正突破先进的EUV光刻机。

ASML不止一次的称，希望能够放开限制，向国内出货光刻机，包含先进的EUV光刻机，大量的出货，稳定的供货，才能终止本土研发，才能保住ASML的地位。

如果不能向国内出货，未来10年或15年，ASML或将全面退出国内市场。

因为华为在研发上很舍得投入，中芯国际又大举投资成熟工艺，希望通过成熟工艺反哺先进工艺，研发投资也是连年创下新高。

而哈工大则一直在尖端技术上突破，极紫外光源技术就是成果之一。

早在2022年，哈工大团队就推出了光源样机，2023年完成了原型机研发，2024年上半年通过了关键测试，两年多时间，就做到技术突破，速度是很快的。

目前，哈工大已经了掌握七项光刻机核心技术，成果突破速度是相当快的。这也是任正非选择与哈工大合作的主要原因。

在技术封锁下，华为、中芯国际都在等国产EUV光刻机。

虽然路比较难走，但已经开始了，开弓没有回头箭，更何况，国内在先进光刻机技术方面，突破还不断。