不公布订单，还加速发货光刻机，ASML这是坐不住了

ASML加速发货了，即将发货第二代NAEUV光刻机，也就是EXE:5200 NAEUV光刻机。

根据ASML发布的消息可知，EXE:5200 是第一代 High NA EUV 光刻机 EXE:5000 的改进款，后者更 “更适合大批量生产”。

要知道，第一代NAEUV光刻机，在2024年后半年才交付了第一台，目前可能仅交付了3台。

但ASML说了，第一代主要是用于 High NA EUV 光刻技术的开发，第二代NAEUV光刻机将拥有更高的晶圆吞吐量，同时支持更为精细的后2nm工艺等。

除了即将发货第二代NAEUV光刻机，ASML也不再公布新增订单数量了。

这两个消息传来后，美媒称ASML这次是真坐不住了,三点原因很清晰。

首先是不能出货。

ASML不再公布新增订单数量和金额，说明新增光刻机订单数量不及预期，需求下滑很厉害。

这一点，ASML也承认了，ASML的2024年第三季度财报，就提前泄露，新增订单仅为26亿欧元，为第二季度新增订单金额的一半不到。

ASML将这一原因，归结是全球半导体行业需求疲软，恢复正常还需要一段时间。

实际上，这是因为三方协议，ASML不仅无法出货EUV光刻机，连主流的DUV光刻机，也不能自由出货了，直接导致新增订单减少。

毕竟，中国是全球最大的芯片消费市场，也是全球最大的光刻机需求市场，如果没有限制，中国将会成为EUV光刻机和主流DUV光刻机最大的市场。

因为在不能自由出货的情况下，中国市场已经连续多个季度，成为ASML单一最大市场，贡献占比均超过40%。

可惜ASML不能自由出货了，而且是更多产品不能自由出货。

其次是中国市场不需要那么多早期型号的光刻机。

国内需要大量的光刻机，是先进的EUV光刻机，是主流DUV光刻机，可以生产制造7nm以下工艺的芯片。

但ASML不能出货，只能出货更早期型号的DUV光刻机，但国内厂商不需要这些产品。

因为国产光刻机已经取得了突破，直接突破了28nm等，成熟工艺、14nm等工艺的芯片，国产光刻机是完全可以的。

即便是更先进的7nm，或者是N+1、N+2等工艺，国内厂商也通过其他技术实现了，甚至做到了等效于4nm的高通骁龙芯片。

麒麟9000s芯片，麒麟9010芯片，麒麟9020芯片等，都很先进，跑分超过130万。

华为还公开宣布，自研的芯片，都具备了国产能力，每一颗芯片，都是100%的国产芯片。

这直接说明了，ASML早期型号的光刻机，国内厂商不需要了，ASML新增订单量自然下滑。

最后是国内光刻机技术取得了突破。

EUV光刻机最核心的技术，就是极紫外光源技术，哈工大已经突破了这一项技术。

哈工大通过DPP技术，直接突破了13.5nm光源技术，与美企业不同的是，后者采用的传统LPP技术。

相比之下，哈工大是通过粒子加速获得紫光，缩短了供应链，让国产EUV光刻机看到了曙光。

除了光源技术，国内在双晶工作台、光刻胶、蚀刻机、小芯片封装技术等方面，都取得了突破，实现7nm以下先进芯片国产化，指日可待。

要知道，7nm以下芯片的制造技术，ASML是领头羊，全球厂商都需要用到ASML的EUV光刻机。

如今，国内厂商突破在即，ASML自然是加速技术更新迭代，防止被国内厂商赶超。

毕竟,ASML之前给出的预期是，与国内厂商至少有15年的差距。

如今看来，15年的差距，明显言过其实了，国内厂商突破很快，要不了几年，先进工艺芯片都能实现国产化。